Resumen

Empleando  un  esquema  de  cálculo  tight-binding  que  usa  una  base  de  orbitales  sp3s*d5,    se estudian propiedades de la estructura electrónica de un grupo de materiales semiconductores III-V   los   cuales   son   de notable   interés   para   la   tecnología   de   dispositivos   electrónicos   y optoelectrónicos.    En  específico,  se  analiza  la  influencia  sobre  estas  propiedades  de  una  tensión aplicada según la dirección cristalográfica [111],  haciendo uso de una formulación basada en la teoría de la elasticidad para establecer las posiciones relativas de los iones vecinos más próximos. Especial  atención  se  presta  a  la  inclusión  del  efecto  de  deformación  interna  de  la  red  cristalina. Para  cada  material  de  los  estudiados  presentamos  las  dependencias  de  las  brechas  energéticas asociadas a los puntos Γ, X y L de la zona de Brillouin como funciones de la tensión uniaxial en AlAs,  GaAs,  InAs  y  GaP.    Asimismo,  reportamos  expresiones  de  ajuste  para  los  valores  de  las masas  efectivas  de  conducción  en  esos  cuatro  materiales.  La  comparación  de  la  variación  de  la brecha  de  energía  en  X  para  el  GaP,  calculada  con  nuestro  modelo,  y  recientes  resultados experimentales  para  la  transición  indirecta  entre  la  banda  de  huecos  pesados  y  la  banda  X  de conducción arroja una muy buena concordancia.  

• Materias:Tensión eléctrica Materia - Estados Estructura electrónica de bandas
• Subjects:Electrical voltage States of matter Electronic belt structure
• Palabras claves:tight-binding, materiales III-V, estructura electrónica, tensión uniaxial
• Keywords:tight-binding, III-V materials, electronic structure, uniaxialstrain