Resumen

Para obtener una reflectancia más baja, aplicamos una técnica de texturizado por plasma sin máscara mediante grabado iónico reactivo (RIE) en obleas de silicio multicristalino (mc-Si) con textura ácida. El texturizado RIE proporcionó una superficie texturizada profunda y estrecha y mostró una excelente baja reflectancia. Debido al daño inducido por el plasma, a menos que las superficies texturizadas por RIE tengan el grabado de eliminación de daños (DRE) adecuado, tienen una caída en Voc y FF. El texturizado RIE con un DRE adecuado tuvo una corriente de cortocircuito (Isc) suficientemente mayor que las muestras texturizadas con ácido sin una caída en el voltaje de circuito abierto (Voc). Con el fin de mejorar la eficiencia de la célula solar mc-Si, aplicamos el texturizado RIE con una condición DRE optimizada a la estructura del emisor selectivo. En comparación con las células solares con textura ácida, las células solares con textura RIE tienen una ganancia absoluta de Isc superior a 200 mA. Y las muestras RIE optimizadas con una DRE por mezcla de HNO3/HF mostraron una eficiencia de onversión del 17,6, que se realizaron mediante un proceso de serigrafía industrial con estructura de emisor selectivo.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:estructura de emisor selectivo, células solares texturizadas, texturizado rie, rie, mayor corriente de cortocircuito, proceso de serigrafía industrial, técnica de texturizado por plasma sin máscara, excelente baja reflectancia, superficie texturizada estrecha, tensión de circuito abierto
• Keywords:selective emitter structure, textured solar cells, rie texturing, rie, higher short circuit current, industrial screen printing process, maskless plasma texturing technique, excellent low reflectance, narrow textured surface, open circuit voltage