Resumen

Se estudiaron las propiedades infrarrojas y ultravioletas no lineales de tercer orden exhibidas por puntos cuánticos de silicio irradiados mediante pulsos ultracortos. Las muestras se prepararon mediante procesos de implantación de iones de Si 2 de 1,5 MeV en sustratos de sílice de gran pureza. Las medidas de z-scan de femtosegundo realizadas a una longitud de onda de 830 nm revelaron fuertes efectos de autoenfoque junto con una absorción de dos fotones que puede cambiar a absorción saturable en función de la irradiancia de entrada. También se observaron cambios en el principal mecanismo físico responsable de la no linealidad de absorción de picosegundos en la muestra a 355 nm, que fueron posibles gracias a la asistencia de fenómenos fototérmicos. Las exploraciones de autodifracción ultravioleta permitieron estimar el efecto Kerr de las nanoestructuras. Cabe considerar posibles aplicaciones para el desarrollo de funciones de filtrado totalmente ópticas realizadas por nanosistemas basados en silicio.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:procesos de implantación iónica, mecanismo físico principal, funciones de filtrado óptico, no linealidad de absorción en picosegundos, sustratos de sílice de pureza, puntos cuánticos de silicio, mediciones -scan, z de femtosegundos, efecto kerr, aplicaciones potenciales
• Keywords:ion implantation processes, main physical mechanism, optical filtering functions, picosecond absorptive nonlinearity, purity silica substrates, silicon quantum dots, -scan measurements, femtosecond z, kerr effect, potential applications