Resumen

La banda de conducción y los estados de impureza electrón-donante en puntos cuánticos de GaAs de forma elíptica bajo el efecto de un campo eléctrico aplicado externamente se calculan dentro de las aproximaciones de masa efectiva y adiabática utilizando dos enfoques numéricos diferentes: un esquema espectral y el método de elementos finitos. Las energías y funciones de onda resultantes se convierten en la información básica necesaria para evaluar la absorción óptica interestatal en el sistema, que se presenta en función de la geometría, la intensidad del campo eléctrico y la temperatura.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos Nanomateriales
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes Nanomaterials
• Palabras claves:diferentes aproximaciones numéricas, estados de impureza donante, intensidad de campo eléctrico, método de los elementos finitos, absorción óptica interestatal, aproximaciones adiabáticas, información básica, banda de conducción, masa efectiva, campo eléctrico
• Keywords:different numerical approaches, donor impurity states, electric field strength, finite element method, interstate optical absorption, adiabatic approximations, basic information, conduction band, effective mass, electric field