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Triggering WORM/SRAM Memory Conversion by Composite Oxadiazole in Polymer Resistive Switching DeviceActivación de la conversión de memoria WORM/SRAM mediante oxadiazol compuesto en un dispositivo de conmutación resistiva de polímero

Resumen

La caracterización eléctrica indica que la conversión de memoria de acceso aleatorio estática (SRAM) no volátil de una sola escritura y muchas lecturas (WORM) fue desencadenada por el compuesto de la pequeña molécula oxadiazol. El dispositivo FTO/PMMA/Ag posee un comportamiento de memoria WORM no volátil, mientras que el dispositivo FTO/PMMA oxadiazol/Ag muestra una característica SRAM volátil muy diferente. Los dispositivos de memoria FTO/PMMA/Ag y FTO/PMMA oxadiazol/Ag presentan ambos una elevada relación ON/OFF de casi 104. Se sugirió que la pequeña molécula de oxadiazol aditiva en el polimetacrilato de metilo formaba un electrodo interno y servía como canal durante el proceso de transferencia de carga, que es fácil tanto para la transferencia de carga como para la transferencia de carga de retorno, como consecuencia, se desencadenó la conversión WORM/SRAM tras la complejación de la pequeña molécula de oxadiazol. Los resultados observados en este trabajo ponen de manifiesto la importancia de la pequeña molécula oxadiazol para los efectos de memoria y despertarán el interés de la investigación sobre el compuesto de pequeña molécula aplicado en dispositivos de memoria.

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