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Isolation of III-V/Ge Multijunction Solar Cells by Wet EtchingAislamiento de células solares multiunión III-V/Ge mediante grabado húmedo

Resumen

Los ciclos de microfabricación de células solares III-V multiunión incluyen varios pasos tecnológicos y terminan con un paso de corte de la oblea para separar las células individuales. Este paso introduce daños en las facetas laterales de las uniones que actúan como centros de atrapamiento de carga, causando potencialmente problemas de rendimiento y fiabilidad, que se vuelven aún más importantes con la tendencia actual de reducción del tamaño de las células. En este trabajo proponemos un proceso de grabado húmedo de microzanjas que permite el aislamiento eléctrico de células solares individuales sin dañar las paredes laterales. El grabado con bromo-metanol, la solución que se suele utilizar para el grabado no selectivo de compuestos III-V, da lugar a la formación de agujeros no deseados en las superficies de los semiconductores. Investigamos el origen de la formación de agujeros y discutimos métodos para superar este efecto. Presentamos una implementación del paso de aislamiento en un flujo de proceso de fabricación de células solares. Este proceso de fabricación mejorado abre el camino para mejorar la resistencia, el rendimiento y la fiabilidad de las matrices.

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