Resumen

La estabilidad de las propiedades lumínicas es esencial para que los dispositivos emisores de luz tengan un rendimiento excelente. El apagado térmico de la fotoluminiscencia (PL) de los puntos cuánticos (QDs) bajo una temperatura elevada resultante de un agujero superficial o de trampas de electrones dará lugar a una luminosidad inestable y tenue. Tras tratar los CdZnSe/ZnSe QDs con TBP, que es un conocido reactivo de pasivación de los aniones, se eliminó el exceso de sitios de Se en la superficie de los QDs y sus rendimientos cuánticos de PL (QYs) mejoraron notablemente. Además, tras el tratamiento con TBP, los CdZnSe/ZnSe QDs no presentan fenómenos de apagado incluso a una temperatura elevada de 310°C. Los diodos emisores de luz electroluminiscentes basados en las QDs tratadas con TBP también mostraron un rendimiento satisfactorio, con una densidad de corriente máxima de 1679,6 mA/cm2, una luminancia pico de 89500 cd/m2, y los valores máximos de EQE y eficiencia de luminiscencia son 15 y 14,9 cd/A, respectivamente. El rendimiento de los dispositivos fabricados puede mejorarse aún más si se realizan estudios mucho más profundos sobre los CdZnSe/ZnSe QDs.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Bioingeniería Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Bioengineering Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:znse qds, qds, tratamiento tbp, alta temperatura, propiedades de luminancia estables, exceso de sitios se, densidad de corriente máxima, dispositivos, fotoluminiscencia térmica, estudios de profundidad
• Keywords:znse qds, qds, tbp treatment, high temperature, stable luminance properties, excess se sites, maximum current density, devices, thermal photoluminescence, depth studies