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Raman Amplifier Based on Amorphous Silicon NanoparticlesAmplificador Raman basado en nanopartículas de silicio amorfo

Resumen

Se describe la observación de la dispersión Raman estimulada en nanopartículas de silicio amorfo incrustadas en estructuras superredes de nitruro/silicio ricas en Si (SRN/Si-SLs). Utilizando un láser de bombeo de longitud de onda continua de 1427 nm, se demuestra experimentalmente una amplificación de la señal de Stokes de hasta 0,9 dB/cm a 1540,6 nm y una reducción significativa de la potencia umbral de aproximadamente el 40% con respecto al silicio. Nuestros resultados indican que las nanopartículas de silicio amorfo son una gran promesa para los láseres Raman basados en Si.

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