Resumen

Explorar la ley de deformación de las dislocaciones de nanoindentación de diferentes grupos de planos cristalinos de 3C-SiC mediante indentador cúbico. Se utiliza el método de simulación de dinámica molecular para construir los diferentes modelos de familia de planos cristalinos de 3C-SiC, seleccionar el conjunto, establecer la función potencial, optimizar la estructura cristalina y relajar el proceso de indentación. Se analizaron, respectivamente, la función de distribución radial, la deformación por cizallamiento y la deformación por dislocación de la nanoindentación en los planos (001), (110) y (111). En la función de distribución radial, el cambio de gr en el plano cristalino (110) es el más evidente. La deformación por cizallamiento y la dislocación se producen fácilmente en el límite de los defectos de indentación cuadrados. Durante el proceso de indentación, la deformación por cizallamiento aumenta a lo largo de la estructura de disposición de los enlaces atómicos, (001) la deformación por cizallamiento del plano cristalino se concentra principalmente alrededor y por debajo de los defectos de indentación y produce un gran número de dislocaciones transversales, (110) la deformación por cizallamiento del plano cristalino se concentra principalmente en la cadena de deformación por cizallamiento que se extiende alrededor y por debajo del defecto de indentación, que produce principalmente dislocaciones horizontales, y (111) la deformación por cizallamiento del plano cristalino se concentra principalmente en cuatro semanas que se extienden a izquierda y derecha en la dirección por debajo del defecto de indentación y produce dislocaciones horizontales y verticales. La dirección de liberación de la tensión de cizallamiento está relacionada con la estructura cristalina. La estructura cristalina afecta a la dirección del deslizamiento atómico, dando lugar a resultados de deslizamiento en diferentes direcciones. Los anillos de dislocación finales son diferentes, lo que da lugar a diferentes resultados de indentación.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:deformación por cizallamiento del plano cristalino, función de distribución radial, estructura cristalina, dirección, defecto de indentación, proceso de indentación, deformación por cizallamiento, estructura de disposición de enlaces atómicos, diferentes modelos de familias de planos cristalinos, diferentes grupos de planos cristalinos
• Keywords:crystal plane shear strain, radial distribution function, crystal structure, direction, indentation defect, indentation process, shear strain, atomic bond arrangement structure, different crystal plane family models, different crystal plane groups