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En este artículo se investiga el problema de la estabilidad para el sistema de láseres de semiconductor acoplados por retraso mutuo. Mediante el análisis de la ecuación característica asociada, se investiga la estabilidad lineal y se demuestran las bifurcaciones de Hopf. Se encuentran nuevos fenómenos como el cambio de estabilidad. También se discute la propiedad equivariante y la existencia de múltiples soluciones periódicas. Se presentan simulaciones numéricas para ilustrar los resultados en el artículo.
Esta es una versión de prueba de citación de documentos de la Biblioteca Virtual Pro. Puede contener errores. Lo invitamos a consultar los manuales de citación de las respectivas fuentes.
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