Resumen

En este estudio se analizó la fiabilidad de dos tipos de células solares III-V: (1) las células solares III-V cultivadas en sustratos de arseniuro de galio (GaAs) nuevos y reciclados y (2) las células solares III-V transferidas a un sustrato de níquel (Ni) electrodepositado como células solares de película fina III-V mediante un proceso de despegue epitaxial de patrón cruzado (CPELO). Las células solares III-V se cultivaron en sustratos de GaAs nuevos y reciclados para evaluar la fiabilidad del sustrato. El sustrato de GaAs reciclado se fabricó mediante el proceso CPELO. El rendimiento de las células solares cultivadas en el sustrato de GaAs reciclado se vio afectado por la morfología irregular de la superficie del sustrato de GaAs reciclado, que causó la propagación de estas dislocaciones en la capa activa de la célula solar cultivada posteriormente. Las células solares III-V se transfirieron a un sustrato de Ni galvanizado, que también se fabricó utilizando la tecnología CPELO. La degradación de la célula solar de capa fina III-V tras realizar una prueba de choque térmico podría haber sido causada por microfisuras o microvacíos en la capa activa o en la interfaz de la heterounión, lo que provocó la reducción de la respuesta de la eficiencia cuántica externa y el aumento de la pérdida por recombinación.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:v células solares, sustrato de gaas reciclado, iii, capa activa, célula solar, células solares, respuesta de eficiencia cuántica externa, sustrato de ni electrodepositado, arseniuro de galio reciclado, ensayo de choque térmico
• Keywords:v solar cells, recycled gaas substrate, iii, active layer, solar cell, solar cells, external quantum efficiency response, electroplated ni substrate, recycled gallium arsenide, thermal shock test