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Analysis of the Degradation of MOSFETs in Switching Mode Power Supply by Characterizing Source Oscillator SignalsAnálisis de la degradación de los MOSFET en fuentes de alimentación conmutadas mediante la caracterización de las señales del oscilador de fuente

Resumen

Las fuentes de alimentación conmutadas (SMPS) se han aplicado ampliamente en la aeronáutica, la energía nuclear, los ferrocarriles de alta velocidad y otras áreas relacionadas con la estrategia y la seguridad nacionales. La degradación del MOSFET ocupa una posición dominante en los factores clave que afectan a la fiabilidad de las SMPS. Los MOSFET se utilizan como interruptores de baja tensión para regular la tensión continua en los SMPS. Los estudios han demostrado que la degradación de la unión conduce a un aumento de la resistencia en estado encendido debido a su dependencia de la temperatura de unión. La resistencia en estado activo es el indicador clave de la salud de los MOSFET. En este artículo se presenta un método en tiempo real para predecir la degradación de los MOSFET. En primer lugar, se introduce la relación entre una señal osciladora de fuente y la resistencia en estado encendido. Dado que las señales del oscilador cambian cuando envejecen, se propone una función para capturar estos cambios y utilizarlos como indicadores del estado de salud de los MOSFET. A continuación, se establece una plataforma de pruebas de caracterización para monitorizar las señales del oscilador de la fuente. Se observaron cambios en la medición de la señal del oscilador con el envejecimiento de la resistencia en estado encendido como resultado de la degradación de la unión de la matriz. Los resultados experimentales demuestran que el método es eficaz. Este estudio permitirá desarrollar un método para predecir el fallo de los MOSFET.

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