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Artículo

Signal Integrity Analysis in Carbon Nanotube Based Through-Silicon ViaAnálisis de la Integridad de la Señal en Vías a través del Silicio Basadas en Nanotubos de Carbono

Resumen

El desarrollo de un sistema integrado 3D confiable depende en gran medida de la elección de los materiales de relleno utilizados en los vias a través de silicio (TSVs). Este artículo de investigación presenta los haces de nanotubos de carbono (CNT) como materiales de relleno prospectivos para TSVs y proporciona un análisis de la integridad de la señal para diferentes TSVs basados en haces de nanotubos de carbono de una sola (SWCNT), doble (DWCNT) y múltiple pared (MWCNT). Dependiendo de la configuración física de un par de TSVs, se emplea un modelo eléctrico equivalente para analizar las retardos en fase y fuera de fase. Se observa que, utilizando un haz de MWCNT (con número de capas = 10), los retardos en fase totales se reducen en un 96,86%, 92,33%, 78,35% y 32,72% en comparación con los haces de SWCNT, DWCNT, MWCNT de 4 capas y MWCNT de 8

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