Para mejorar la fiabilidad de los IRFPA de InSb, normalmente se ha rellenado el chip de InSb y el ROIC de Si con material de relleno. Alrededor de la temperatura de transición vítrea, el material de relleno muestra viscoelasticidad, pero, muy por debajo de ella, muestra propiedades mecánicas aparentemente dependientes de la temperatura. Basándonos en el modelo elástico dependiente de la temperatura del relleno, en primer lugar se investiga un conjunto de pequeño formato de 8×8 elementos InSb IRFPA cambiando el diámetro y la altura de la protuberancia de indio; los resultados simulados muestran que la tensión máxima en el chip InSb no tiene nada que ver con la altura del relleno y depende del diámetro de la protuberancia de indio; la tendencia variable es como la letra U extendida horizontalmente. Cuando el diámetro de la protuberancia de indio se fija en 24 μm con una altura de 21 μm, la tensión máxima en el chip InSb alcanza el mínimo. Para conocer la tensión en 64×64 elementos en poco tiempo, con la estructura óptima anterior, la escala del conjunto de IRFPAs de InSb se duplica una vez más de 8×8 a 64×64 elementos. Los resultados de la simulación muestran que la tensión máxima en el chip de InSb está fuertemente determinada por el formato de la matriz y aumenta con la escala de la matriz; sin embargo, la tensión máxima en Si ROIC casi se mantiene constante y es independiente del tamaño de la matriz; además, la mayor tensión se localiza en el chip de InSb, y la distribución de la tensión en el chip de InSb es uniforme.
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