Resumen

El análisis de la variación aleatoria en el rendimiento del Transistor de Efecto de Campo de Óxido Metálico de Puerta Flotante (FGMOSFET), que es un dispositivo electrónico semiconductor citado con frecuencia, operado en la región de subumbral definida en términos de su corriente de drenaje (), ha sido propuesto en esta investigación. es de interés porque es directamente medible y puede ser la base para determinar los demás. Se han tenido en cuenta todas las variaciones aleatorias a nivel de dispositivo inducidas por el proceso de fabricación relacionadas, sus correlaciones estadísticas, y la condición de operación de bajo voltaje/bajo consumo de energía. El resultado del análisis se ha encontrado muy preciso ya que puede ajustarse al nivel de nanómetros de referencia basado en SPICE BSIM4 con una precisión muy alta. Al utilizar dicho resultado, se pueden encontrar estrategias para minimizar la variación en y se puede realizar el análisis de la variación en el parámetro de nivel de circuito de cualquier circuito basado en FGMOSFET

• Materias:Transferencia de energía Semiconductores Amplificador de potencia Filtro de paso de banda Sistemas fotovoltaicos
• Subjects:Energy transfer Semiconductors Power amplifier Band pass filter Photovoltaic systems
• Palabras claves:Rendimiento; FGMOSFET; Región de subumbral; Corriente de drenaje; Proceso de fabricación; Diseño consciente de la variabilidad
• Keywords:Performance; FGMOSFET; Subthreshold region; Drain current; Manufacturing process; Variability aware design