Resumen

Las películas de diamante son candidatas para una amplia gama de aplicaciones, debido a su amplio intervalo de banda, alta conductividad térmica y estabilidad química. En este trabajo se han fabricado diodos de heterounión (HJD) basados en diamante mediante el crecimiento de un compuesto de nanocarbono de tipo n en forma de películas de diamante ultrananocristalino/carbono amorfo dopadas con nitrógeno (UNCD/a-C:H:N) sobre sustratos de Si de tipo p. Se han utilizado espectroscopias de fotoemisión de rayos X y de infrarrojos por transformada de Fourier para examinar el comportamiento de los diodos. Se emplearon espectroscopias de fotoemisión de rayos X y de infrarrojos por transformada de Fourier para examinar la contribución de átomos de nitrógeno de la fase gaseosa a las películas depositadas. Los resultados indican la incorporación de átomos de nitrógeno en los límites de grano de la película UNCD/a-C:H sustituyendo a los átomos de hidrógeno. Se estudiaron las características de capacitancia (C-V-f), conductancia (G/ω-V-f) y resistencia en serie-voltaje de los HJDs de Pd/n-(UNCD/a-C:H:N)/p-Si fabricados en el rango de frecuencias de 40 kHz-2 MHz. La existencia de estados de interfaz (Nss) y resistencia en serie (Rs) se atribuyó a la interrupción de la estructura reticular periódica en la superficie de la unión fabricada, así como a los defectos en la interfaz (UNCD/a-C:H:N)/Si. Al aumentar la frecuencia (≥500 kHz), el Nss revela un comportamiento casi independiente de la frecuencia, lo que indica que las cargas en los estados de la interfaz no pueden seguir la señal ac a mayor frecuencia. Los resultados obtenidos demuestran que el UNCD/a-C:H:N es un semiconductor de tipo n prometedor para diodos de heteroestructura basados en diamante.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites
• Palabras claves:uncd, diamante, estados de interfase, átomos de nitrógeno, resistencia en serie, alta conductividad térmica, estructura reticular periódica, sustratos tipo si, compuesto tipo nanocarbono, brecha de banda ancha
• Keywords:uncd, diamond, interface states, nitrogen atoms, series resistance, high thermal conductivity, periodic lattice structure, type si substrates, type nanocarbon composite, wide band gap