Resumen

Los parámetros de ruido de transistores bipolares de heterounión de silicio germanio (SiGe) de diferentes tamaños se investigan por primera vez en la región de ruptura. Cuando la longitud del emisor de los SiGe HBTs se acorta, la figura de ruido mínima en la ruptura disminuye. Además, una anchura de emisor más estrecha también disminuye la figura de ruido de los SiGe HBTs en la región de avalancha. La reducción del rendimiento de ruido para una longitud y anchura de emisor más pequeñas de los SiGe HBTs en la ruptura se debe a la menor densidad espectral de ruido resultante del mecanismo de ruptura. Se logra un buen acuerdo entre el rendimiento de ruido experimental y simulado en la ruptura para SiGe HBTs de diferentes tamaños. El análisis presentado puede beneficiar a los circuitos de RF que operan en la región de ruptura.

• Materias:Transferencia de energía Semiconductores Amplificador de potencia Filtro de paso de banda Sistemas fotovoltaicos
• Subjects:Energy transfer Semiconductors Power amplifier Band pass filter Photovoltaic systems
• Palabras claves:Silicio germanio; Transistores bipolares de heterounión; Parámetros de ruido; Región de ruptura; Longitud del emisor; Ancho del emisor
• Keywords:Silicon germanium; Heterojunction bipolar transistors; Noise parameters; Breakdown region; Emitter length; Emitter width