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Characterization and Analysis of Ultrathin CIGS Films and Solar Cells Deposited by 3-Stage ProcessCaracterización y análisis de películas ultrafinas de CIGS y células solares depositadas mediante un proceso de tres etapas

Resumen

En vista de la amplia utilización a gran escala de las celdas solares de Cu(In,Ga)Se (CIGS) para aplicaciones fotovoltaicas, resulta de interés no solo mejorar la eficiencia de conversión, sino también reducir el grosor de la capa absorbente de CIGS para disminuir los costos y mejorar la producción de celdas solares. La espectroscopia elipsométrica in situ y en tiempo real (RTSE) se ha utilizado junto con caracterizaciones ex situ para comprender las propiedades de las películas ultradelgadas de CIGS. Esto permite monitorear el proceso de crecimiento, analizar las propiedades ópticas de las películas de CIGS durante la deposición y extraer la composición, el grosor de la película, el tamaño de grano y la rugosidad de la superficie, lo cual puede ser corroborado con mediciones ex situ. Los dispositivos fabricados se caracterizaron mediante medidas de corriente-voltaje y eficiencia cuántica, y se modelaron utilizando un simulador de dispositivos de celdas solares unidimensionales. Un análisis de los parámetros del diodo indica que la eficiencia de las celdas más delgadas estaba restringida no solo por una absorción de luz limitada, como se esperaba, sino también por un factor de llenado y voltaje de circuito abierto bajos, explicados por una resistencia en serie, corriente de saturación inversa y factor de calidad del diodo aumentados, asociados con una mayor densidad de trampas.

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