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La fotoreflectancia (PR) y Raman son dos técnicas de espectroscopía muy útiles que generalmente se utilizan para conocer los estados electrónicos de la superficie en dispositivos semiconductores basados en GaAs. Sin embargo, a pesar de ser herramientas excepcionales, hay pocos informes donde ambas técnicas se hayan utilizado en este tipo de dispositivos. En este trabajo, se estudiaron los estados electrónicos de la superficie en heteroestructuras AlGaAs/GaAs con el fin de identificar el efecto de factores como la profundidad de penetración del láser, el grosor de la capa de recubrimiento y la pasivación de la superficie en los espectros de PR y Raman. Las medidas de PR se realizaron alternativamente con dos láseres (longitudes de onda de 532 nm y 375 nm) como fuentes de modulación para identificar características internas y de superficie. El campo eléctrico de la superficie calculado por el análisis de PR disminuyó a medida que aumentaba el grosor de la capa de GaAs, en buena concordancia con un comportamiento similar observado en las medidas de Raman (ratio). Cuando las heteroestructuras fueron tratadas con Si-flux, estas técnicas mostraron comportamientos opuestos. El análisis de PR reveló una disminución en el campo eléctrico de la superficie debido a un proceso de pasivación, mientras que el ratio no presentó el mismo comportamiento porque estaba dominado por el ancho de las capas de agotamiento (grosor de la capa de recubrimiento) y la profundidad de penetración del láser.
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