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Artículo

Analysis of Cubic Boron Nitride Single Crystal Defects Growth under High Temperature and High PressureAnálisis del crecimiento de defectos en monocristales de nitruro de boro cúbico a alta temperatura y alta presión

Resumen

Se sintetizan monocristales de nitruro de boro cúbico (cBN) a alta temperatura y alta presión en el sistema basado en Li. Los defectos de crecimiento en las superficies hexagonales y triangulares (111) de los monocristales de cBN tras el enfriamiento rápido se analizan sistemáticamente por primera vez utilizando el microscopio de fuerza atómica. En las superficies de los monocristales de cBN son evidentes algunas partículas de impurezas, defectos de agujeros cónicos triangulares, estructuras laminares-fallas y grandes escalones. El mecanismo de formación de estos defectos se analiza brevemente en el proceso de síntesis de los monocristales de cBN, y el mecanismo de crecimiento de los monocristales de cBN pasa del crecimiento bidimensional al mecanismo de crecimiento de dislocaciones a alta temperatura y alta presión.

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