Resumen

Se estudiaron experimentalmente las influencias de las cantidades de dopaje de TiO2 en la estructura y las propiedades eléctricas de las películas de In2O3. En este estudio, se depositaron conducciones de óxido de indio dopado con titanio (ITiO) sobre sustrato de vidrio mediante el sistema de pulverización catódica por magnetrón de radiofrecuencia (RFS) de doble blanco en diferentes condiciones de blancos de In2O3 dopados con Ti, desde Ti-0,5 wt% hasta Ti-5,0 wt%, junto con 10 mTorr y 300 W de presión de control de potencia de RF que se utilizó como célula de electroquimioluminiscencia (ECL) transparente y rentable. A partir de este proceso, se informa de la correlación entre las propiedades estructurales, ópticas y eléctricas. Se descubrió que el mejor 1,14×10-4 Ω cm de resistividad era de Ti-2,5 wt% con la mayor concentración de portadores (1,15 × 1021 cm-3), movilidad Hall (46,03 cm2/V-s), transmitancia relativa (82%) y eficiencia ECL (0,43 lm-W-1) con morfología bien estructurada cristalina y lisa. Como resultado, los investigadores pueden ser responsables de la preparación de películas delgadas de ITiO con microestructura significativamente mejorada y el rendimiento de la intensidad de la luz para la eficacia de los dispositivos de visualización, así como su proceso simple y de alto rendimiento.

• Materias:Energía solar Termodinámica Fotoquímica Fotocatálisis Efecto fotoeléctrico
• Subjects:Solar energy Thermodynamics Photochemistry Photocatalysis Photoelectric effect
• Palabras claves:wt%, propiedades eléctricas, magnetrón tipo radiofrecuencia, películas delgadas itio, control de potencia rf, mayor concentración de portadores, rendimiento de intensidad luminosa, eficiencia ecl, movilidad hall, películas in2o3
• Keywords:wt%, electrical properties, type radio frequency magnetron, itio thin films, rf power control, highest carrier concentration, light intensity performance, ecl efficiency, hall mobility, in2o3 films