Resumen

Se estudiaron los efectos del proceso de enfriamiento en la generación de dislocaciones en silicio multicristalino crecido por el proceso Bridgman vertical. A partir del campo de temperatura obtenido mediante un modelo global, se calcularon la relajación de tensiones y la multiplicación de dislocaciones utilizando el modelo Haasen-Alexander-Sumino. Se comprobó que la multiplicación de las dislocaciones es mayor en los procesos de enfriamiento rápido. Se confirmó que la tensión residual es baja a altas temperaturas porque el movimiento de las dislocaciones relaja la deformación térmica, mientras que la tensión residual aumenta al disminuir la temperatura, debido a la reducción del movimiento de las dislocaciones y a la formación de un campo de deformación a temperaturas más bajas.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:dislocaciones, aumento de la tensión residual, proceso de bridgman vertical, multiplicación, modelo de sumino, modelo global, altas temperaturas, bajas temperaturas, silicio multicristalino, tensión residual
• Keywords:dislocations, residual stress increases, vertical bridgman process, multiplication, sumino model, global model, high temperatures, lower temperatures, multicrystalline silicon, residual stress