Resumen

El silicio monocristalino (c-Si) sigue siendo un material importante relacionado con la microelectrónica/optoelectrónica. La medición no destructiva del material c-Si y su microestructura es comúnmente requerida en la investigación científica y aplicaciones industriales, para lo cual la espectroscopía Raman es un método indispensable. Sin embargo, las mediciones Raman basadas en la configuración específica fija de geometría/polarización Raman están limitadas para el análisis cuantitativo del rendimiento del c-Si, lo que dificulta cumplir con los requisitos de alta gama de la microelectrónica y optoelectrónica basadas en silicio avanzado. Las mediciones Raman resueltas en ángulo se han convertido en una nueva tendencia de análisis experimental en el campo de los materiales, la física, la mecánica y la óptica. En este artículo, se analizan sistemáticamente las características de la dispersión Raman polarizada resuelta en ángulo de c-Si bajo las configuraciones en eje y fuera de eje. Se establece un modelo teórico general de la intensidad Raman resuelta en ángulo, que incluye varios parámetros de ángulo alterables, como el ángulo de inclinación, el ángulo de rotación de la muestra y las direcciones de polarización del láser incidente y la luz dispersada. Se proporciona la diversificación de la intensidad Raman en diferentes ángulos para varias geometrías y configuraciones de polarización. El modelo teórico es verificado y calibrado mediante experimentos típicos. Además, este trabajo proporciona una base confiable para el análisis de experimentos Raman polarizados complejos en estructuras basadas en silicio.

• Materias:Fármacos Electroforesis Microespectral Raman Espectro ultravioleta Teledetección
• Subjects:Pharmaceuticals Electrophoresis Microspectral Raman Ultraviolet spectrum Remote sensing
• Palabras claves:Silicio monocristalino; Espectroscopia Raman; Medidas Raman resueltas en ángulo; Rendimiento de c-Si; Microelectrónica avanzada basada en silicio; Dispersión Raman polarizada
• Keywords:Monocrystalline silicon; Raman spectroscopy; Angle-resolved Raman measurements; C-Si performance; Advanced silicon-based microelectronics; Polarized Raman scattering