Resumen

El silicio monocristalino (c-Si) sigue siendo un material importante relacionado con la microelectrónica/optoelectrónica. La medición no destructiva del material c-Si y su microestructura es comúnmente requerida en la investigación científica y aplicaciones industriales, para lo cual la espectroscopía Raman es un método indispensable. Sin embargo, las mediciones Raman basadas en la configuración específica fija de geometría/polarización Raman están limitadas para el análisis cuantitativo del rendimiento del c-Si, lo que dificulta cumplir con los requisitos de alta gama de la microelectrónica y optoelectrónica basadas en silicio avanzado. Las mediciones Raman angulares han surgido como una nueva tendencia de análisis experimental en el campo de materiales, física, mecánica y óptica. En este artículo, se analizan sistemáticamente las características de la dispersión Raman polarizada angular del c-Si bajo las configuraciones en eje y fuera de eje. Se establece un modelo teórico general de la intensidad Raman angular, que incl

• Materias:Fármacos Electroforesis Microespectral Raman Espectro ultravioleta Teledetección
• Subjects:Pharmaceuticals Electrophoresis Microspectral Raman Ultraviolet spectrum Remote sensing
• Palabras claves:Silicio monocristalino; Espectroscopia Raman; Medidas Raman resueltas en ángulo; Rendimiento de c-Si; Microelectrónica avanzada basada en silicio; Dispersión Raman polarizada
• Keywords:Monocrystalline silicon; Raman spectroscopy; Angle-resolved Raman measurements; C-Si performance; Advanced silicon-based microelectronics; Polarized Raman scattering