Resumen

La composición en profundidad de la capa delgada de aleación, AuGeNi, dedicada a actuar como contacto óhmico sobre n-GaAs(110) se ha investigado mediante XPS in situ combinada con técnicas de pulverización de iones de Argón. Las superficies escindidas frescas, supuestamente libres de oxígeno, se depositaron normalmente con una capa metálica de 200 nm en condiciones de alto vacío (mejor que 10-7 torr), por evaporación térmica, y se recocieron a una temperatura de 430-450° Celsius durante 5 minutos. Se realizaron unas 18 sesiones de grabado de superficies con iones Ar y mediciones XPS intermedias para revelar el borde de la interfaz metal/semiconductor. Se han aproximado las concentraciones atómicas de los elementos químicos. Se registraron las líneas espectrales Au4f, Ga3d, Ga2p, As3d, As2p, Ni2p3/2, Ge3d, O1s y C1s. El Au, el Ge y el Ni tienen una distribución homogénea, mientras que el Ga y el As tienden a difundirse hacia la superficie. El oxígeno está presente en las primeras capas de la superficie, mientras que el carbono desaparece por completo tras el segundo paso de grabado. Se detectó la existencia de una aleación Au-Ga y los espectros XPS muestran únicamente Ni y Ge metálicos dentro de la capa y en la interfase. Hemos intentado realizar un estudio sobre el análisis del perfil de composición química en profundidad de la capa AuGeNi sobre n-GaAs(110) escindido mediante la técnica de espectroscopia de fotoelectrones de rayos X (XPS).

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanofibras
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanofibers
• Palabras claves:análisis de perfiles de composición química en profundidad, espectroscopia de fotoelectrones de rayos, muestra de espectros xps, superficies escindidas frescas, condiciones de alto vacío, mediciones xps intermedias, superficies ar de iones, aleación de capa fina, gaas(110, superficie
• Keywords:depth chemical composition profile analysis, ray photoelectron spectroscopy, xps spectra show, fresh cleaved surfaces, high vacuum conditions, intermediate xps measurements, ion ar surfaces, thin layer alloy, gaas(110, surface