Resumen

Hemos presentado varios nanopilares en LED basados en GaN para mejorar la eficiencia de la extracción de luz preparados mediante el método de adsorción y reacción sucesiva de capas iónicas (SILAR). Se cultivó óxido de indio y estaño (ITO) con un grosor de 1 μm como capa de contacto transparente para mejorar las características eléctricas de los LED, incluida la resistencia en serie y la tensión de funcionamiento. Se utilizaron nanopartículas de ZnO de deposición SILAR sobre SiO2 como nanomáscaras de grabado. Se formaron simultáneamente múltiples nanopilares en superficies generales de ITO p- y n-GaN mediante grabado ICP. Los LED de GaN propuestos con nanopilares aumentan la potencia de salida de luz entre un 7% y un 20,3% (a 20 mA) con respecto a los LED de GaN normales. La diferencia en la potencia de salida de la luz puede atribuirse a las diferencias en los materiales y las formas de los nanopilares, lo que resulta en una reducción de la reflexión de Fresnel por la superficie rugosa de los LED basados en GaN.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:potencia de salida de luz, leds, gan, adsorción sucesiva de capas iónicas, óxido de indio y estaño, deposición de nanopartículas de zno, capa de contacto transparente, silar, nanopilares, reflexión fresnel
• Keywords:light output power, leds, gan, successive ionic layer adsorption, indium tin oxide, deposition zno nanoparticles, transparent contact layer, silar, nanopillars, fresnel reflection