Resumen

Demostramos con éxito que la superficie de p-GaN tratada con Arplasmatment aumentaba la resistencia de contacto de ITO/P-GaN sirviendo como capa de desviación de la corriente de inyección bajo la almohadilla del electrodo. Se comprobó que los valores de Vf de los dos LED a 20 mA eran de aproximadamente 3,3 V. Bajo una inyección de corriente de 20 mA, se comprobó que las potencias de salida del LED convencional y del LED tratado con Ar-plasma sobre superficies de p-GaN eran de 9,8 y 11,08 mW, respectivamente. Podemos aumentar la potencia de salida de los LED de GaN en 13 debido al bloqueo de corriente en la superficie de p-GaN bajo la almohadilla del electrodo mediante la inserción del tratamiento con plasma Ar. También se comprobó que, tras la prueba de fiabilidad durante 72 horas, la vida media de los LED convencionales y de los LED con tratamiento con plasma Ar en la superficie de p-GaN era de aproximadamente 49 y 55%, correspondientes a la intensidad inicial, respectivamente.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:superficie gan, almohadilla de electrodo, capa de desviación de corriente, gan, leds, plasma ar, leds gan, superficies gan, valores vf, resistencia de contacto
• Keywords:gan surface, electrode pad, current deflection layer, gan, leds, ar plasma, gan leds, gan surfaces, vf values, contact resistance