Resumen

Se investigan diversos nanopatrones sobre la capa conductora transparente de óxido de indio y estaño (ITO) para mejorar la eficiencia de extracción de luz de los diodos emisores de luz (LED) InGaN/GaN. Se fabrican patrones de nanoagujeros triangulares, cuadrados y circulares con retículas cuadradas y hexagonales sobre la capa de ITO mediante litografía por haz de electrones y procesos de grabado en seco por plasma acoplado inductivamente. El patrón de agujeros circulares con geometría hexagonal es el más eficaz de las estructuras estudiadas. Las mediciones de la intensidad de salida de la luz revelan que los LEDs ITO con nanopatrones de agujeros circulares con una red hexagonal muestran hasta un 35,6% de mejora de la intensidad de salida en comparación con la muestra sin nanopatrones.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:mediciones de la intensidad de salida de la luz, óxido de indio y estaño conductor transparente, patrón de agujeros circulares, patrones de nanoagujeros circulares, litografía por haz de electrones, espectáculo de red hexagonal, eficacia de extracción de la luz, leds ito nanopatternados, capa ito, diversos nanopatterns
• Keywords:light output intensity measurements, transparent conducting indium tin oxide, circular hole pattern, circular nanohole patterns, electron beam lithography, hexagonal lattice show, light extraction efficiency, nanopatterned ito leds, ito layer, various nanopatterns