Resumen

Debido a la introducción de memristores, los circuitos osciladores no lineales basados en memristores presentan fácilmente la multieestabilidad dependiente del estado inicial (o multieestabilidad extrema), es decir, la coexistencia de múltiples atractores (o la coexistencia de infinitos atractores). La modelización de reducción de dimensionalidad para un circuito memristivo se lleva a cabo para lograr una predicción precisa, un análisis cuantitativo y un control físico de su multieestabilidad, lo cual se ha convertido en uno de los temas de investigación más candentes en el campo de la ciencia de la información. Basándose en estas consideraciones, este artículo revisa brevemente el fenómeno específico de multieestabilidad generado a partir del circuito memristivo en el dominio voltaje-corriente y expone la estrategia de control de la multieestabilidad. Luego, este artículo introduce la relación constitutiva precisa flujo-carga de los memristores. Posteriormente, se introduce de manera enfática el método de modelización de reducción de dimensionalidad

• Materias:Funciones Flujo de información Estudio de población Modelado de sistemas Modelo de campo
• Subjects:Functions Information flow Population study System modeling Field model
• Palabras claves:Memristores; Circuitos de oscilador no lineal; Multistabilidad; Modelado de reducción de dimensionalidad; Relación constitutiva de flujo-carga; Sincronización
• Keywords:Memristors; Nonlinear oscillator circuits; Multistability; Dimensionality reduction modeling; Flux-charge constitutive relation; Synchronization