Resumen

En este estudio se investiga una estructura nanorodal de nitruro de aluminio (AlN) pulverizada por deposición en ángulo oblicuo (GLAD) y su aplicación como capa amortiguadora para diodos emisores de luz (LED) basados en GaN que se fabrican sobre sustratos de zafiro. Se adopta el método de trazado de rayos con un modelo tridimensional en el software TracePro. Los resultados de la simulación indican que la estructura de nanorodos de AlN en zigzag es una capa amortiguadora óptima en un LED basado en GaN. Además, la potencia luminosa de un LED de GaN con una estructura de nanorodos de AlN en zigzag mejora hasta un 28,6 a una corriente de avance de 20 mA con respecto a la del LED de GaN con una capa tampón de AlN normal.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:gan, led, estructura nanorodal, capa tampón aln normal, estructura nanorodal aln en zigzag, potencia de salida de la luz, capa tampón óptima, resultados de la simulación, software tracepro, nitruro de aluminio
• Keywords:gan, led, nanorod structure, normal aln buffer layer, zigzag aln nanorod structure, light output power, optimal buffer layer, simulation results, tracepro software, aluminum nitride