Resumen

Los autores proponen una metodología para mejorar tanto la tasa de deposición como el consumo de SiH4 durante la deposición de la capa intrínseca de silicio amorfo de las células solares en tándem a-Si/μc-Si preparadas sobre sustrato de vidrio Gen 5. La cuestión más importante es encontrar el punto de saturación de la tasa de deposición que garantice la utilización saturada del gas de alimentación. Se descubrió que la cuestión más importante es encontrar el punto de saturación de la tasa de deposición que garantice la utilización saturada del gas de abastecimiento. También se descubrió que las capas intrínsecas de silicio amorfo con el mismo valor k provocarán la misma degradación de los módulos fabricados. Además, se descubrió que podíamos reducir significativamente el coste de producción de las células solares en tándem a-Si/μc-Si preparadas sobre sustrato de vidrio Gen 5 ajustando los parámetros del proceso.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Optoelectrónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Optoelectronics
• Palabras claves:si tándem, silicio amorfo, velocidad de deposición, sustrato de vidrio, células solares, mismo valor k, gen, consumo de sih4, cuestión importante, capa intrínseca
• Keywords:si tandem, amorphous silicon, deposition rate, glass substrate, solar cells, same k value, gen, sih4 consumption, important issue, intrinsic layer