Resumen

En este estudio nos centramos en la caracterización del comportamiento del voltaje de capacitancia (C-V) del grafeno bicapa (BG) apilado Bernal y del grafeno tricapa (TG) como canal de dispositivos FET. Se presentan los modelos analíticos de la capacitancia cuántica (QC) del BG y el TG. Aunque la QC es menor que la capacitancia clásica en los dispositivos convencionales, su contribución al condensador semiconductor total de óxido metálico en los dispositivos FET basados en grafeno llega a ser significativa en la nanoescala. Nuestros cálculos muestran que el QC aumenta con el voltaje de puerta tanto en BG como en TG y disminuye con la temperatura con algunas fluctuaciones. Sin embargo, en el grafeno bicapa la fluctuación es mayor debido a su estructura de banda sintonizable con campos eléctricos externos. A temperatura y tamaño similares, el QC en la configuración BG de óxido metálico es mayor que en la configuración TG de óxido metálico. Además, tanto en BG como en TG, la capacitancia total se ve más afectada por la capacitancia clásica a medida que aumenta la distancia entre el electrodo de puerta y el canal. Sin embargo, la capacitancia cuántica es más dominante cuando el canal se hace más fino en la nanoescala y, por lo tanto, nos ocupamos principalmente de la capacitancia cuántica en la puerta superior, en contraste con la puerta inferior, en la que la capacitancia clásica es dominante.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanomateriales
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanomaterials
• Palabras claves:capacitancia clásica, dispositivos fet, capacitancia cuántica, grafeno bicapa de apilamiento bernal, configuración tg de óxido metálico, condensador semiconductor total de óxido metálico, campos eléctricos externos, bg de óxido metálico, estructura de banda sintonizable, canal
• Keywords:classic capacitance, fet devices, quantum capacitance, bernal stacking bilayer graphene, metal oxide tg configuration, total metal oxide semiconductor capacitor, external electric fields, metal oxide bg, tunable band structure, channel