En este artículo se presentan los resultados relacionados con la investigación de capas de carburo de silicio nanocristalino (nc-SiC) obtenidas por deposición iónica directa con fines de acumulación de hidrógeno. Los parámetros del proceso de producción que proporcionan la mayor cantidad de hidrógeno acumulado (más del 5,5 % en peso) se determinaron a partir de los datos de espectrometría de masas sobre la desorción de hidrógeno atómico y molecular de las películas de nc-SiC. El examen con microscopio electrónico reveló las características estructurales responsables de la absorción, retención y desorción de hidrógeno a temperaturas y presiones relativamente bajas. Los resultados del estudio sugieren que los principales elementos estructurales que actúan como trampas de hidrógeno son las posiciones vacantes de carbono en el nc-SiC. La presencia de un sistema desarrollado de límites intercristalinos en las películas investigadas favorece la desorción de hidrógeno a temperaturas relativamente bajas.
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