Resumen

Se prepararon películas delgadas de óxido de zinc dopado con indio (IZO) mediante pirólisis ultrasónica por pulverización (USP) de bajo coste. Se consiguió una baja resistividad (3,13×10-3 Ω cm) y una transmitancia directa media (400~1500 nm) de aproximadamente el 80% de las películas IZO. Las películas IZO se investigaron como ánodos en dispositivos fotovoltaicos orgánicos (OPV) de heterounión masiva basados en poli(3-hexiltiofeno) y éster metílico del ácido [6,6]-fenil C61-butírico. El dispositivo fabricado sobre un sustrato de vidrio recubierto con una película de IZO mostró una tensión de circuito abierto de 0,56 V, una corriente de cortocircuito de 8,49 mA cm-2, un factor de llenado de 0,40 y una eficiencia de conversión de potencia del 1,91%, lo que demuestra que las películas de IZO preparadas mediante la técnica USP son candidatos prometedores para dispositivos OPV de bajo coste, transparentes y con bajo contenido en In.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Electrodos Nanoestructuras Biopelículas
• Subjects:Solar energy Photochemistry Electrodes Nanostructures Biofilms
• Palabras claves:películas izo, éster metílico del ácido butírico, transmitancia directa media, dispositivos opv de coste, tensión de circuito abierto, eficiencia de conversión de potencia, corriente de cortocircuito, candidatos a electrodos transparentes, pirólisis por pulverización ultrasónica, película izo
• Keywords:izo films, butyric acid methyl ester, average direct transmittance, cost opv devices, open circuit voltage, power conversion efficiency, short circuit current, transparent electrode candidates, ultrasonic spray pyrolysis, izo film