El sulfuro de indio ha sido ampliamente investigado como componente para diferentes tipos de dispositivos fotovoltaicos (dispositivos híbridos orgánico-inorgánicos, totalmente inorgánicos, células sensibilizadas por colorantes). En este trabajo, hemos optimizado las condiciones de crecimiento de películas delgadas de sulfuro de indio mediante una técnica de deposición versátil y de bajo coste, como es la pirólisis por pulverización. La calidad de las películas depositadas se ha caracterizado mediante micro-Raman, espectroscopia vis-UV y microscopía de fuerza atómica. Se han investigado la temperatura de deposición del sustrato y diferentes condiciones de recocido postdeposición para obtener información sobre la calidad del compuesto obtenido (qué fases cristalinas o amorfas están presentes) y la morfología de las películas depositadas. Hemos demostrado que la temperatura de deposición influye fuertemente en la cantidad de fase amorfa y en la rugosidad de las películas de sulfuro de indio. La optimización de los tratamientos de recocido posteriores a la deposición puede mejorar notablemente la cantidad final de fase beta, casi independientemente del porcentaje de fase amorfa presente en las películas depositadas.
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