Resumen

Este artículo demuestra la fabricación y las características optoelectrónicas de fotodetectores ultravioleta (UV) de ZnO fabricados sobre sustratos de Si con capas tampón de Si nanoporoso oxidado (ONPS). Las capas ONPS se prepararon sobre las superficies de sustratos de Si mediante una técnica de anodización electroquímica tras un proceso de oxidación térmica rápida. Los resultados experimentales indicaron que la aplicación de capas tampón de ONPS no sólo mejoraba la cristalinidad de las láminas delgadas de ZnO depositadas, sino que también restringía en gran medida la fotorrespuesta del visible al infrarrojo que se generaba a partir de la absorción de luz de los sustratos de Si. Los fotodiodos de ZnO sobre ONPS desarrollados alcanzaron una alta fotorresponsividad para la luz UV incidente de 300 ∼ 400 nm y obtuvieron una gran relación de corriente foto-oscura de hasta 104 a una longitud de onda de 375 nm bajo una polarización de 5 V. Por lo tanto, el ZnO sobre ONPS proporciona un enfoque altamente potencial para el desarrollo de fotodetectores UV de bajo coste a ciegas visibles.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:sustratos si, zno, capas tampón onps, fotodetectores uv ciegos, relación corriente oscura, técnica anodización electroquímica, luz uv incidente, onps, resultados experimentales, capas onps
• Keywords:si substrates, zno, onps buffer layers, blind uv photodetectors, dark current ratio, electrochemical anodization technique, incident uv light, onps, experimental results, onps layers