Resumen

Se investigó la conducción eléctrica y las propiedades de conmutación bipolar de las células de memoria de acceso aleatorio resistivo (RRAM) con películas delgadas transparentes de titanato de bismuto cálcico (CaBi4Ti4O15-CBTi144). Experimentalmente, las películas delgadas de CBTi144 orientadas a (119) se depositaron sobre sustratos de ITO/vidrio mediante sputtering de magnetrón de RF seguido de un recocido térmico rápido (RTA) a una temperatura de 450-550°C. Las morfologías superficiales y las estructuras cristalinas de las películas delgadas de CBTi144 se examinaron mediante microscopía electrónica de barrido de emisión de campo y mediciones de difracción de rayos X. En este trabajo se analizó la relación de encendido/apagado y los comportamientos de conmutación de los dispositivos RRAM transparentes de Al/CBTi144/ITO/vidrio.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:película delgada, medición de difracción de rayos, memoria de acceso aleatorio, recocido térmico rápido, microscopía electrónica de barrido, cbti144, dispositivo rram de vidrio, ito, morfología superficial, estructura cristalina
• Keywords:thin film, ray diffraction measurement, random access memory, rapid thermal annealing, scanning electron microscopy, cbti144, glass rram device, ito, surface morphology, crystal structure