Las películas de Mo preparadas bajo una única condición de deposición rara vez obtienen simultáneamente una baja resistividad y una buena adhesión, necesarias para su uso en células solares. Para superar este obstáculo, se han intentado preparar películas de Mo bicapa mediante sputtering DC a una presión de trabajo más alta y a una presión de trabajo más baja, tal y como se recoge en la literatura. En este estudio, se exploró el sputtering de RF con diferentes potencias junto con diferentes presiones de trabajo para preparar películas bicapa de Mo. La primera capa inferior se cultivó con una potencia de pulverización de RF de 30 W y una presión de trabajo de 12 mTorr, y la segunda capa superior se depositó a 100 W y 4,5 mTorr. Las películas mostraron un crecimiento columnar con una orientación preferente a lo largo del plano (110). Las películas bicapa de Mo presentaron una resistividad eléctrica de 6,35 × 10-5 Ω-cm y superaron la prueba de adhesión al sustrato de vidrio sodocálcico con cinta adhesiva, por lo que las películas bicapa de Mo pueden utilizarse como contactos metálicos posteriores para sustratos CIGS.
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