Resumen

En este informe, demostramos un efecto de conmutación fiable de los dispositivos transistores de efecto de campo (FET) de nanotubos de carbono (CNT) integrados con CNT semiconductores al 99% como canal y óxido de alta k como dieléctrico. Se caracterizaron y compararon eléctricamente dispositivos FET de CNT con óxidos de alto k de Al-ZrHfO2 y Al2O3. No se observó una histéresis considerable en el dispositivo FET de CNT basado en Al2O3. El Al-ZrHfO2 con una alta constante dieléctrica basada en la fase tetragonal (~47), diseñado mediante un proceso de deposición de capas atómicas, mostró un efecto de conmutación fiable, así como un bajo voltaje de funcionamiento (<±3 V). Se propuso el proceso de captura/recepción de carga a través de los defectos relacionados con las vacantes de oxígeno del Al-ZrHfO2 como mecanismo principal para explicar el cambio de corriente en el sentido contrario a las agujas del reloj y el desplazamiento del voltaje umbral (Vth) para las propiedades de transferencia. El modelo sugerido de atrapamiento de carga en el interior del óxido se comprobó experimentalmente, ya que la histéresis de la adsorción/desorción de moléculas de gas en la superficie del CNT era insignificante. Las características de resistencia de los dispositivos de conmutación de CNT se mantuvieron estables sin ninguna fluctuación grave de la corriente durante una prueba de ciclos repetitivos. El dispositivo de memoria con propiedades de conmutación fiables y bajo consumo de energía allanaría el camino hacia la próxima generación de componentes de memoria de aparatos electrónicos portátiles.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanocompuestos Nanofibras
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanocomposites Nanofibers
• Palabras claves:efecto de conmutación fiable, zrhfo2, proceso de deposición de capas atómicas, dispositivo cnt fet, dispositivos cnt fet, dispositivos de conmutación cnt, modelo de atrapamiento de carga, componentes de memoria de generación, baja potencia de funcionamiento, baja tensión de funcionamiento
• Keywords:reliable switching effect, zrhfo2, atomic layer deposition process, cnt fet device, cnt fet devices, cnt switching devices, charge trapping model, generation memory components, low operation power, low operation voltage