Resumen

Se deposita una capa de SiOx de 20 nm mediante pulverización por radiofrecuencia para formar la capa de conmutación resistiva de un dispositivo de memoria Cu/SiO x/Pt. El dispositivo basado en SiO x demuestra las características de conmutación resistiva con una reacción electroquímica. El tratamiento con plasma CF4 se utilizó para modificar la capa de SiOx e incorporar átomos de flúor a la capa de SiO x. El daño por bombardeo y la incorporación de flúor hicieron que la película de SiO x formara una estructura en forma de pila. Esto redujo la tensión de funcionamiento y mejoró la dispersión de la conmutación. El flúor reparó la interfaz Cu/SiO x, aumentando así la altura de barrera de la interfaz Cu/SiO x y la resistencia del estado de alta resistencia. Se realizó un análisis estadístico de la formación de filamentos conductores para evaluar el número de sitios de formación/ruptura. La conmutación resistiva de la muestra tratada con CF4 tenía una mayor posibilidad de utilizar los mismos sitios de filamentos; por lo tanto, la muestra tratada con CF4 tenía un comportamiento de conmutación resistiva estable.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanomateriales Nanosensores
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanomaterials Nanosensors
• Palabras claves:sio, comportamiento de conmutación resistiva estable, tratamiento con plasma cf4, dispositivo de memoria pt, estado de alta resistencia, capa siox de nm, características de conmutación resistiva, capa de conmutación resistiva, mismos sitios de filamento, cf4
• Keywords:sio, stable resistive switching behavior, cf4 plasma treatment, pt memory device, high resistance state, nm siox layer, resistive switching characteristics, resistive switching layer, same filament sites, cf4