Resumen

En este estudio se han fabricado y caracterizado fotodetectores ultravioleta (UV) metal-semiconductor-metal basados en películas delgadas de óxido de zinc (ZnO) puro y óxido de indio, galio y zinc (a-IGZO) amorfo. Las capas semilla de ZnO se depositaron sobre sustratos de vidrio Corning mediante una técnica de pulverización catódica por magnetrón de radiofrecuencia (RF). Los resultados mostraron que, bajo una polarización aplicada de 5 V, las corrientes oscuras de las películas delgadas de ZnO puro y a-IGZO eran de 0,112 pA y 2,85 nA, respectivamente. Mientras tanto, la relación de rechazo UV-visible de las películas delgadas de ZnO puro y a-IGZO fue de 14,33 y 256, respectivamente. Por último, las DP de las láminas delgadas a-IGZO presentaron una corriente de fuga menor y una relación de rechazo mayor que la de las láminas delgadas de ZnO puro desde la región UV a la visible.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:películas delgadas, zno puro, igzo, óxido de indio galio zinc amorfo, sustratos de vidrio corning, capas semilla de zno, mayor relación de rechazo, óxido de zinc puro, región de luz visible, relación de rechazo visible
• Keywords:thin films, pure zno, igzo, amorphous indium gallium zinc oxide, corning glass substrates, zno seed layers, higher rejection ratio, pure zinc oxide, visible light region, visible rejection ratio