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Characteristics of InGaN-Based Light-Emitting Diodes on Patterned Sapphire Substrates with Various Pattern HeightsCaracterísticas de los diodos emisores de luz basados en InGaN sobre sustratos de zafiro con diferentes alturas de patrón

Resumen

Se investigaron las características ópticas y eléctricas de diodos emisores de luz (LED) azules basados en InGaN cultivados sobre sustratos de zafiro con patrones (PSS) con diferentes alturas de patrón y sobre zafiro plano mediante deposición química en fase vapor metalorgánica a presión atmosférica. En comparación con el zafiro plano, se observó que la intensidad de electroluminiscencia del LED aumentaba significativamente en los PSS con alturas de patrón de 0,5 (21%), 1,1 (57%), 1,5 (81%) y 1,9 (91%) μm a una corriente inyectada de 20 mA. El aumento de la intensidad luminosa muestra la misma tendencia en una simulación TracePro. Además, también se comprobó que el nivel de corriente de fuga depende de la densidad de defectos en forma de V, que se midieron mediante microscopía electrónica de barrido.

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  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:Characteristics of InGaN-Based Light-Emitting Diodes on Patterned Sapphire Substrates with Various Pattern Heights
  • Autor:Sheng-Fu, Yu; Sheng-Po, Chang; Shoou-Jinn, Chang; Ray-Ming, Lin; Hsin-Hung, Wu; Wen-Ching, Hsu
  • Tipo:Artículo
  • Año:2012
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
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