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Artículo

Electrical Trimming Characteristics of Polysilicon Nanofilms with Different Doping Concentrations and Deposition TemperaturesCaracterísticas de recorte eléctrico de nanofilms de polisilicio con diferentes concentraciones de dopaje y temperaturas de deposición

Resumen

Las nanopelículas de polisilicio (PSNF) pueden proporcionar un gran factor de calibre y una buena estabilidad térmica, lo que favorece su aplicación en dispositivos sensores piezoresistivos. El recorte eléctrico es necesario para mejorar aún más la estabilidad y la adaptación de las resistencias piezoresistivas tras la fabricación del sensor. Las ventajas del PSNF se obtienen preparando primero muestras de PSNF con diferentes concentraciones de dopaje y temperaturas de deposición. Aplicando una corriente continua incremental superior a la corriente umbral de las resistencias PSNF, se recortan las resistencias PSNF y se miden los cambios de resistencia. Los resultados del recorte eléctrico muestran que la corriente umbral, la velocidad de recorte y el error de recorte están relacionados con la concentración de dopaje y la temperatura de deposición. Los resultados experimentales se exponen de acuerdo con la teoría piezoresistiva de efecto túnel y el modelo de par intersticial-vacante. Estos resultados son útiles para el diseño y fabricación de sensores piezoresistivos de PSNF.

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