Resumen

En este estudio, se presenta la mayor movilidad en los TFT basados en óxido de grafeno reducido (rGO) embebidos con nanopartículas de Au. Además, fabricamos un dispositivo de memoria de óxido de grafeno reducido (rGO-capacitor), un transistor de película fina de óxido de grafeno reducido (rGO-TFT) y un transistor de película fina de memoria de óxido de grafeno reducido (rGO-MTFT) y caracterizamos sus prestaciones eléctricas. Mientras que en el dispositivo rGO-TFT se investigó el rendimiento del canal noambipolar, en el rGO-capacitor y el rGO-MTFT se examinaron las capacidades de memoria no volátil en una estructura de metal-grafeno-insulador-silicio (MGIS). La incorporación de nanopartículas de oro (Au NPs) entre el rGO y una capa aislante de dióxido de silicio (SiO2) sirvió como elemento de carga. El condensador rGO reveló el efecto de memoria de los bucles histeréticos de capacitancia-voltaje (C-V), y el desplazamiento de voltaje de banda plana (ΔVFB) se midió en 0,1375 V tras 100 s de tiempo de retención. El rGO-TFT muestra las características del canal p con una alta movilidad de los agujeros de 16,479 cm2/V⋅s. El desplazamiento del voltaje umbral (ΔVth) del rGO-MTFT se detectó como 5,74 V desde un barrido de 10 V a -30 V, demostrando una alta movilidad de 22,887 cm2/V⋅s.

• Materias:Análisis electroquímico Nanotecnología Nanoestructuras Nanocompuestos Nanotubos
• Subjects:Electrochemical analysis Nanotechnology Nanostructures Nanocomposites Nanotubes
• Palabras claves:transistor de película fina, mtft, condensador, au nps, dispositivo de memoria de óxido de grafeno, desplazamiento de la tensión de banda, memoria de óxido de grafeno, alta movilidad de los agujeros, dióxido de silicio aislante, rendimiento del canal no ambipolar
• Keywords:thin film transistor, mtft, capacitor, au nps, graphene oxide memory device, band voltage shift, graphene oxide memory, high hole mobility, insulator silicon dioxide, nonambipolar channel performance