Resumen

Hemos investigado las propiedades magnéticas y ópticas de nanorods verticales de GaN libres de dislocaciones con diámetros de 150 nm crecidos sobre sustratos de Si (111) mediante epitaxia de haz molecular asistida por plasma de radiofrecuencia seguida de implantación de iones de Mn y recocido. Los nanorods de GaN están completamente relajados y presentan una calidad cristalina muy buena caracterizada por líneas excitónicas de fotoluminiscencia extremadamente fuertes y estrechas cerca de 3,47 eV. En el caso de los nanorods de GaMnN, puede concluirse que la propiedad ferromagnética de los nanorods de GaMnN con una temperatura de Curie superior a 300 K está asociada a la formación de la fase magnética Mn4Si7 que resulta de los efectos del desorden magnético y estructural introducido por una incorporación aleatoria y una distribución no homogénea de átomos de Mn en la capa porosa entre los nanorods que forman precipitados en el sustrato de Si antes o durante el paso de recocido entre los nanorods de GaN.

• Materias:Biotecnología Análisis electroquímico Nanotecnología Nanopartículas Nanotubos
• Subjects:Biotechnology Electrochemical analysis Nanotechnology Nanoparticles Nanotubes
• Palabras claves:nanorods de gan, nanorods de gan verticales libres, implantación de iones de mn, buena calidad cristalina, temperatura de curie, nanorods de gamnn, nanorods de gamnn, átomos de mn, sustrato de si, sustratos de si
• Keywords:gan nanorods, free vertical gan nanorods, mn ion implantation, good crystal quality, curie temperature, gamnn nanorod, gamnn nanorods, mn atoms, si substrate, si substrates