Resumen

En este estudio se examinaron los efectos del espesor de la película sobre las características nanoestructurales, químicas y mecánicas de las películas nc-Si:H depositadas mediante deposición química en fase vapor mejorada por plasma. Se utilizaron SiH4 y H2 como gases fuente, y el tiempo de deposición varió de 10 a 360 min. El tamaño medio de los nanocristalitos en las películas de Si aumentó de ~6 a ~8 nm al aumentar el espesor de la película de 85 a 4150 nm. Además, la concentración de nanocristalitos y el módulo elástico aumentaron de ~7,5 a ~45 y de 135 a 147 Gpa, respectivamente. En la película de 4150 nm de espesor, la fracción volumétrica relativa de nanocristalitos de Si y la fracción relativa de enlaces Si-H en las películas eran aproximadamente ~45 y ~74,5%, respectivamente.

• Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
• Subjects:Solar energy Photochemistry Photocatalysis Nanostructures Biophotonics
• Palabras claves:espesor de película, deposición química de vapor, tamaño medio de nanocristalitos, fracción de volumen relativa, enlaces h, películas h, películas si, nanocristalitos si, tiempo de deposición, módulo elástico
• Keywords:film thickness, chemical vapor deposition, mean nanocrystallites size, relative volume fraction, h bonds, h films, si films, si nanocrystallites, deposition time, elastic modulus