La crisis energética mundial ha incrementado la demanda de fuentes de energía alternativas y, como tal, es uno de los temas en primera línea de la investigación. Una forma de reducir el consumo de energía es la termoelectricidad. Los efectos termoeléctricos permiten convertir directamente la energía térmica en eléctrica. El siliciuro de manganeso superior (HMS, MnSi1,75) es uno de los materiales prometedores para aplicaciones en el campo de la termoelectricidad. Su abundancia y bajo coste, junto con sus buenas propiedades termoeléctricas y su elevada estabilidad mecánica y química a altas temperaturas, lo hacen muy atractivo para aplicaciones termoeléctricas. Estudios recientes han demostrado que el HMS rico en Si tiene propiedades termoeléctricas mejoradas. La más interesante de ellas es la inusual reducción de la conductividad térmica. En la presente investigación, se aplicaron métodos de microscopía electrónica de transmisión (TEM) y de barrido (SEM), así como de difracción de rayos X, para investigar los mecanismos que dan lugar a valores muy bajos de conductividad térmica de una composición de HMS rico en Si, tras procedimientos de fusión por arco y prensado en caliente. En este trabajo se demuestra la presencia de paredes de dislocaciones submicrónicas, fallos de apilamiento y precipitados de silicio y HMS unos dentro de otros aparentes en la matriz, tras un prensado en caliente a alta temperatura (0,9 Tm) durante una hora. Éstos no sólo son responsables de los bajos valores de conductividad térmica observados, sino que también indican la capacidad de crear complicadas nanoestructuras que perdurarán durante el proceso de producción y, posiblemente, durante la aplicación.
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