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Thermal Characteristics of InGaN/GaN Flip-Chip Light Emitting Diodes with Diamond-Like Carbon Heat-Spreading LayersCaracterísticas térmicas de los diodos emisores de luz InGaN/GaN Flip-Chip con capas de dispersión del calor de carbono similares al diamante

Resumen

Se han investigado las propiedades ópticas, eléctricas y térmicas en función de la temperatura de los diodos emisores de luz flip-chip (FCLED) con capas térmicas de carbono tipo diamante (DLC). A partir de los resultados medidos en el intervalo de temperaturas de 20°C a 100°C, se puede conseguir una mejora significativa del rendimiento de los FCLED con capas de dispersión de calor de DLC (DLC-FCLED) en comparación con los FCLED sin capas de dispersión de calor de DLC (no DLC-FCLED). La eficiencia cuántica externa (EQE) del DLC-FCLED mejora en un 9 a una corriente de inyección de 1000 mA y una temperatura de 100°C. El voltaje de avance y las variaciones del espectro son menores que los de los DLC-FCLED. El DLC-FCLED ofrece un rendimiento de alta eficiencia y estabilidad para aplicaciones de alta potencia y alta temperatura.

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  • Idioma:Inglés
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Información del documento

  • Titulo:Thermal Characteristics of InGaN/GaN Flip-Chip Light Emitting Diodes with Diamond-Like Carbon Heat-Spreading Layers
  • Autor:Pai-Yang, Tsai; Hou-Kuei, Huang; Chien-Min, Sung; Ming-Chi, Kan; Yeong-Her, Wang
  • Tipo:Artículo
  • Año:2014
  • Idioma:Inglés
  • Editor:Hindawi Publishing Corporation
  • Materias:Energía solar Fotoquímica Fotocatálisis Nanoestructuras Biofotónica
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