Resumen

Las capas epitaxiales de Al1-xInxN de 150 nm de grosor, orientadas a (0001), se cultivaron mediante deposición química de vapor de metales orgánicos sobre una plantilla de GaN (2,3 µm) y un sustrato de zafiro (0001). La concentración de indio (x) de las capas epitaxiales de Al1-xInxN se modificó como 0,04, 0,18, 0,20, 0,47 y 0,48. El contenido de indio (x), los parámetros de red y los valores de deformación en las capas de AlInN se calcularon a partir del mapeo recíproco de la red alrededor de la reflexión simétrica (0002) y asimétrica (10-15) de las capas de AlInN y GaN. Las características de la estructura de mosaico de las capas de AlInN, como las longitudes de coherencia lateral y vertical, el ángulo de inclinación y de torsión, la deformación heterogénea y las densidades de dislocación (dislocaciones de tipo borde y tornillo) de las epiláminas de AlInN, se investigaron utilizando mediciones de difracción de rayos X de alta resolución y con una combinación del gráfico de Williamson-Hall y el ajuste de los ángulos de torsión.

• Materias:Propiedades fisicoquímicas Materiales compuestos Fotocatálisis Pavimentos Sistema cuántico
• Subjects:Chemicophysical properties Composite materials Photocatalysis Floors Quantum system
• Palabras claves:capa epitaxial, capa alinn, ángulo de torsión, características de la estructura de mosaico, medición de difracción de rayos, combinación de williamson, deposición química de vapor, química orgánica de metales, longitud de coherencia vertical, dislocación tipo tornillo
• Keywords:epitaxial layer, alinn layer, twist angle, mosaic structure characteristics, ray diffraction measurement, combination of williamson, chemical vapor deposition, metal organic chemical, vertical coherence length, screw type dislocation