Resumen

Se realiza un análisis detallado de las células Hall de tipo cruzado integradas en un proceso tecnológico regular de CMOS a granel. Para ello se han evaluado sus principales parámetros. Se ha empleado un modelo físico tridimensional para evaluar las estructuras. En esta ocasión, se ha obtenido información numérica sobre la resistencia de entrada, la tensión Hall, la corriente de conducción y la distribución del potencial eléctrico. También se han proporcionado resultados experimentales para la sensibilidad absoluta, el desplazamiento y la deriva de temperatura de desplazamiento. Se ha obtenido un comportamiento cuadrático del offset residual con la temperatura y se han identificado los puntos de temperatura que conducen al offset mínimo para las tres células Hall.

• Materias:Energía nuclear Dinámica molecular Metales Electrodos Acero Acero inoxidable
• Subjects:Nuclear energy Molecular dynamics Metals Electrodes Steel Stainless steel
• Palabras claves:célula hall, cmos regular bulk, modelo físico dimensional, distribución de potencial eléctrico, proceso tecnológico, deriva de temperatura, offset residual, offset mínimo, tensión hall, comportamiento cuadrático
• Keywords:hall cell, regular bulk cmos, dimensional physical model, electrical potential distribution, technological process, temperature drift, residual offset, minimum offset, hall voltage, quadratic behavior