Resumen

Los materiales atómicamente finos, como los diseleniuros de metales de transición semiconductores, como el diseleniuro de molibdeno (MoSe2) y el diseleniuro de tungsteno (WSe2), han suscitado un gran interés en los últimos años debido a su estructura electrónica única, su ingeniería de banda prohibida, su comportamiento ambipolar y sus propiedades ópticas, y han motivado investigaciones para los dispositivos electrónicos semiconductores de próxima generación. En este trabajo, mostramos un método no destructivo para caracterizar el número de capas de MoSe2 y WSe2 bidimensionales (2-D) incluyendo materiales de una y pocas capas mediante espectroscopia Raman. También se estudian las propiedades de fotoluminiscencia relacionadas como referencia. Aunque la espectroscopia Raman es una poderosa herramienta para determinar el número de capas de materiales 2-D como el grafeno y el disulfuro de molibdeno (MoS2), ha habido dificultades para caracterizar con precisión el número de capas de MoSe2 y WSe2 mediante espectroscopia Raman debido a los desplazamientos inciertos durante el proceso de medición Raman y a la falta de múltiples picos Raman separados en MoSe2 y WSe2 para su referenciación. A continuación, comparamos el pico de Si normalizado con el de MoSe2 y WSe2 e identificamos con éxito el número de capa de MoSe2 y WSe2. Al igual que ocurre con el grafeno y el MoS2, el número de capa de la muestra modifica sus propiedades ópticas hasta 4 capas.

• Materias:Análisis de suelos Hormigón Asfalto Drenaje Acero
• Subjects:Soil testing Concrete Asphalt Drainage Steel
• Palabras claves:número de capa, wse2, espectroscopia raman, propiedad óptica, mose2, interés intensivo recibido, pico si normalizado, material de diselenuro metálico, pico raman separado, propiedad de fotoluminiscencia relacionada
• Keywords:layer number, wse2, raman spectroscopy, optical property, mose2, received intensive interest, normalized si peak, metal diselenide material, separated raman peak, related photoluminescence property